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  产品特点

  1、单层，晶格缺陷少，接近本征石墨烯；

  2、可见光透过率高，导电性良好；

  3、加工性好，可以转移在不同的基材上。

  
  
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  特征与优势

  CVD铜基底石墨烯薄膜的制备，采用化学气相沉积法，将碳源高温分解沉积在铜基底表面，形成了二维碳原子层。CVD铜基底石墨烯薄膜的单层率高，品质优异，可实现石墨烯大面积生长，且较易转移到其它各种基材上使用。

产品参数

产品型号			MFVU-1060	MFVU-1061
项目		单位	参数
尺寸		cm2	＜100	＞100
单层覆盖率		%	>98	>90
拉曼光谱	I2D/IG	/	＞2	＞2
	W2DFWHM	cm-1	≈30	≈30

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